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公开/公告号CN214254383U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南大学;
申请/专利号CN202120478719.1
发明设计人 段曦东;杨向东;李佳;
申请日2021-03-05
分类号H01L21/68(20060101);H01L21/677(20060101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙);
代理人谢浪
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
入库时间 2022-08-23 00:31:41
机译: 晶圆级二维材料的原子精度控制
机译: 外延生长材料平台的晶圆级聚合物辅助光耦合
机译: 硅光学微平台设备及其晶圆级测试
机译:晶圆级二维MOS2层集成在纤维素基板上朝向环保瞬态电子设备
机译:人工神经网络高密度膜跨阵列中二维材料的晶圆级集成
机译:受控裂纹扩展,可对晶圆级二维材料进行原子精确处理
机译:晶圆级石墨烯转移用于生产线后端设备集成
机译:晶圆级集成系统的晶圆级有损互连线的电气特性和性能分析。
机译:更正:来自液态金属印刷氧化皮的晶圆级二维半导体
机译:晶圆级二维MOS2层集成在纤维素基板上朝向环保型瞬态电子设备
机译:非均匀晶圆级电路架构的三维集成和晶圆封装;会议文件与简报图表