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公开/公告号CN214174551U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中山大学·深圳;
申请/专利号CN202120011348.6
发明设计人 汪宏;史少辉;蔡泽;
申请日2021-01-04
分类号G01R31/26(20140101);G01R1/04(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人张金福
地址 518107 广东省深圳市光明新区光明街道华夏路和润家园3栋501
入库时间 2022-08-23 00:18:52
机译: 产生光的光源具有一个P-N结,该P-N结由两种用于感应发射光的半导体材料形成,并且一种半导体材料以颗粒形式体现,从而产生大量的光。
机译: 改善或测试半导体器件中P-N结特性的方法
机译: 测量P-N功能的伏安特性的装置
机译:一种新型超敏光电化学生物传感器,用于基于辅助策略检测MicroRNA 21和P-N异质结淬火模式
机译:基于含有聚吡咯纳米纤维和氧化锌 - 氧化铜氧化物P-N结的电化学传感器,用于同时伏安测定抗坏血酸,多巴胺,扑热酰胺和色氨酸的同时性结构
机译:植入辅助铜扩散:制备CuInS_2 / In_2S_3 p-n结的另一种方法
机译:分子束外延制造的GESN P-N结装置的特性
机译:用于细胞微注射和机器人抛光的新力辅助装置的设计与测试
机译:用于SF6分解副产物SO2SO2F2和SOF2的NiO / ZnO p-n结传感器的合成表征和增强的传感特性
机译:用于sF6分解副产物sO2,sO2F2和sOF2的NiO / ZnO p-n结传感器的合成,表征和增强的传感特性
机译:一种预测p-N结的正向电压特性的理论