公开/公告号CN213988835U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 福建雅鑫电子材料有限公司;
申请/专利号CN202023035926.4
申请日2020-12-16
分类号H01L21/67(20060101);B01D3/38(20060101);
代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人许娆
地址 365050 福建省三明市清流经济开发区氟新材料产业园
入库时间 2022-08-22 23:44:24
机译: 一种用于在沟槽隔离结构中具有掩埋的蚀刻停止层的半导体器件的制造方法,用于在密集封装的半导体组件中实现更好的均匀性。
机译: 一种用于在蚀刻停止层的蚀刻期间控制半导体组件的金属化系统中的沟槽的临界尺寸的方法
机译: 一种蚀刻剂溶液,用于在半导体器件的聚酰亚胺-或聚酰亚胺-异吲哚吲哚酮-绝缘层中形成蚀刻图案。