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化学气相沉积中衬底温度的控制方法

摘要

本发明涉及一种化学气相中沉积衬底温度的控制方法,所述控制方法用于对稳定时间段的所述衬底温度进行控制,在所述稳定时间段内所述衬底温度处于相对稳定状态且其波动幅度不超过一允许温度值T,所述控制方法包括在所述时间段内,调节加热单元的温度在初始时刻t得到一稳定值Tsp1,同时获得一个所述衬底温度的初始测量值Ts1,在改变反应条件后,获得所述衬底温度在下一时刻t+Δt的新测量值Ts2,并由所述Ts1,所述Ts2和所述Tsp1计算得到所述下一时刻的所述稳定值Tsp2。本发明避免了因所述衬底温度的测量误差引起的无法对所述衬底温度进行精确控制的问题,能够对时间段的衬底温度进行精确可靠的控制。

著录项

  • 公开/公告号CN104213104B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 理想晶延半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201310215310.0

  • 发明设计人 马悦;奚明;

    申请日2013-05-31

  • 分类号C23C16/52(20060101);C23C16/46(20060101);

  • 代理机构11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄海霞

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区居里路1号2幢302室

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-13

    授权

    授权

  • 2015-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/52 申请日:20130531

    实质审查的生效

  • 2014-12-17

    公开

    公开

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