基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置

摘要

本实用新型提供一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置，包括：底部设置有若干个螺纹孔的石墨坩埚；若干个螺杆，固定于螺纹孔中，螺杆的第一端伸入石墨坩埚中，第二端伸出石墨坩埚外；若干个下部探针，固定于若干个螺杆的第一端；若干个电源，其一端分别接于若干个螺杆的第二端。基于该坩埚装置，通过在碳化硅的结晶界面处施加直流电流或电压，并实时调整该直流电流的大小和/或方向，来达到精确控制碳化硅晶体尺寸的目的，基于本坩埚装置制备的碳化硅晶体对尺寸的控制更加精确，工艺程序更加简便；另外，坩埚装置中恒向磁场装置的设置，使在整个晶体结晶生长过程中，进一步减轻了杂质的影响，提高了碳化硅晶体的整体品质。