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K波段PIN高隔离SPDT开关

摘要

本实用新型提供一种K波段PIN高隔离SPDT开关,该开关包括一个输入端和两个输出端,输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构;输入端与一个输出端之间串联有两个电容,两个电容之间搭接着五个二极管的正极端,每个二极管的负极端接地,该输出端搭接有电感,电感的另一端连接第三个电容后接地。K波段PIN高隔离SPDT开关具有体积小、损耗小、隔离高等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN213366760U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都创吉科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202022697314.5

  • 发明设计人 张海;彭皞;万超云;成颖;

    申请日2020-11-19

  • 分类号H01P1/15(20060101);

  • 代理机构51270 成都瑞创华盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人辜强

  • 地址 610041 四川省成都市成都高新区创业路16号1栋8层1号附806

  • 入库时间 2022-08-22 21:57:45

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