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公开/公告号CN213339687U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 山东华科半导体研究院有限公司;
申请/专利号CN202021871264.1
发明设计人 赵正超;李文昌;洪婷;李刚;方海燕;
申请日2020-08-31
分类号G11C29/00(20060101);G11C29/02(20060101);
代理机构51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙);
代理人刘勋
地址 250000 山东省济南市高新区飞跃大道2016号创新工场F7-2-201-203
入库时间 2022-08-22 21:51:40
机译: 具有带有源侧编程的存储单元的具有EEPROM和闪存EPROM的集成电路
机译: 带有嵌入式可重编程EEPROM的集成电路和仿真方法,以方便调试
机译:一种基于沟槽技术的新型闪存EEPROM单元,可集成到功率集成电路中
机译:电路板上带有集成电路的芯片测试以及燃烧期间的测试集成电路芯片的主板测试和老化测试罗马尼亚语全文
机译:带有非易失性EEPROM
机译:用于Flash-EEPROM集成电路的低功耗-低电压带隙基准电压源:设计替代方案和实验
机译:研究EEPROM和FLASH EEPROM测试结构中隧穿氧化物薄膜的退化。
机译:带有片上针孔的集成电路角位移传感器
机译:带有EEPROM数据存储媒体的AT24C04 VIA SMS倾斜角测量系统的设计
机译:用于微波集成电路应用的带有介电覆盖层的宽带,高性能耦合器。