一种高效N型HIBC太阳能电池

摘要

本实用新型公开了高效N型HIBC太阳能电池，包括N型硅衬、第一本征非晶硅层、N型非晶硅层和减反层、及第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和接触层，N型硅衬底的厚度为160～190μm；第一本征非晶硅层的厚度为1～15nm；N型非晶硅层的厚度为5～20nm；掺杂非晶硅层包括交替间隔设置的P型非晶硅区和N型非晶硅区；第二本征非晶硅层的厚度为1～15nm；掺杂非晶硅层的厚度为0.1～0.4μm，P型非晶硅区的宽度为300～1000μm；N型非晶硅区的宽度为80～220μm，相邻的P型非晶硅区和N型非晶硅区之间的间隙宽度为10～50μm。本实用新型旨在提升电池的光电转化效率及质量。