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公开/公告号CN213091409U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 天津新亚太工程建设监理有限公司;
申请/专利号CN202021602441.6
发明设计人 吴玉明;王保;杨树俊;岳金稳;韩应明;
申请日2020-08-05
分类号G01N3/40(20060101);G01N3/02(20060101);G01N3/06(20060101);
代理机构
代理人
地址 300143 天津市河北区金沙江路33号增1号
入库时间 2022-08-22 21:11:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 3/40 专利号:ZL2020216024416 申请日:20200805 授权公告日:20210430
专利权的终止
机译: 一种新颖的氧化结构/方法,以制造高性能的磁性隧道结MRAM
机译: 一种新型的氧化结构/方法,可制造出高性能的磁隧道隧穿结
机译: 一种通过-可以牢固地-电子体的组件来改善薄膜绝缘膜隧道电性能的方法
机译:一种新的Z形栅极线隧道FET,具有改善的静电性能
机译:一种新型高性能平面INAS / GASB面部隧道FET,具有植入漏极的漏流量减少
机译:为解决与隧道掘进机性能有关的岩土工程问题,开发了一种新型混合神经网络
机译:一种测量道路和隧道照明性能的自动系统
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:屏蔽隧道隧道通型隧道性能和变化指标数据
机译:一种SiGe源掺杂的双栅极隧道FET:基于增强性能的充电等离子体技术的设计与分析
机译:Utvaerdering av Explosivaemnesdetektorn mO-2m(评估一种名为mO-2m的爆炸物检测装置)。