退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN213067297U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 云南建投矿业工程有限公司;
申请/专利号CN202021530495.6
发明设计人 郝留忠;段克鲁;郑娅;徐祥;尹兆启;唐金石;
申请日2020-07-29
分类号F42D1/08(20060101);F42D3/04(20060101);
代理机构
代理人
地址 650000 云南省昆明市五华区西站12号
入库时间 2022-08-22 21:06:47
机译: 一种用于制造具有大ε的金属栅电极结构的互补晶体管的方法,以及在漏极和源极区域中产生的外延半导体材料
机译: 一种源漏准SOI多重网格结构装置的制备方法
机译: 一种用于制造具有大的ε的金属栅电极结构的晶体管的方法,在距离保持器处产生基于碳的受害者的漏极/源极-区域的前部
机译:靶向转谷氨酰胺酶2部分恢复细胞外基质结构,但在实验性支气管扩漏中的肺泡结构不是肺泡结构
机译:在新生儿一种高血压诱导的大鼠支气管扩漏性发育不良模型中洞察Circrnas的表达谱和功能
机译:13例支气管扩漏患者的手术结果,包括一种复发性的生殖类动物肿瘤
机译:一种测量CMOSFET中高掺杂漏极和轻掺杂漏极的薄层电阻的测试结构
机译:用支气管扩漏性发育不良的早产新生儿的脑变化和神经开发的结果:肺部健康与脑健康之间的互联
机译:表面活性剂蛋白D和支气管扩漏性发育不良:一种接近旧问题的新方法
机译:开发一种用于结合无扩口配件的正锁止装置