公开/公告号CN213069114U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 万向一二三股份公司;万向集团公司;
申请/专利号CN202021461876.3
申请日2020-07-22
分类号G01R31/385(20190101);G01R1/04(20060101);
代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏
地址 311215 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区建设二路855号
入库时间 2022-08-22 21:06:29
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 平板工件的双侧加工装置和多个半导体晶片同时进行双侧材料去除加工的方法
机译: 平板工件的双侧加工装置和多个半导体晶圆的同时双侧材料加工方法