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用于生产多纳孔二氧化硅薄膜的醇基处理器

摘要

本发明涉及多纳孔介电薄膜及其生产方法。这类薄膜可用于生产集成电路。制备这类薄膜采用有一种烷氧硅烷的前体;一种挥发性较低的溶剂组合物,包括可溶混于水及烷氧基硅烷的C

著录项

  • 公开/公告号CN1229383C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联合讯号公司;

    申请/专利号CN98812870.5

  • 申请日1998-10-26

  • 分类号C07F7/04;C07F7/18;C09D183/04;C01B13/32;C01B33/16;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人卢新华

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-12-24

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2005-11-30

    授权

    授权

  • 2001-03-07

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2001-02-28

    公开

    公开

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