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用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备

摘要

本实用新型提供用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备。所述CVD设备包括:CVD反应腔,其用于进行CVD工艺以在设置于其中的硅片上形成CVD薄膜;上料模块,其与CVD反应腔的一侧连接用于将承载有硅片的托盘传送至CVD反应腔,上料模块包括上料模块前段和后段;第一测温模块,其设置在上料模块前段上用于测量其所传送的托盘温度;以及第一降温模块,其设置在上料模块前段上用于在第一测温模块测得的托盘温度高于第一预设温度时,在托盘离开上料模块前段之前将其温度降低到不高于第一预设温度。本实用新型能有效抑制太阳能电池制造中因托盘温度过高导致的硅片边缘氧化及电池黑边现象,能有效提高电池良率和推动太阳能电池的量产化进程。

著录项

  • 公开/公告号CN212894968U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海理想万里晖薄膜设备有限公司;

    申请/专利号CN202021600366.X

  • 发明设计人 吴科俊;陈金元;胡宏逵;

    申请日2020-08-05

  • 分类号C23C16/54(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/24(20060101);H01L31/18(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/677(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房

  • 入库时间 2022-08-22 20:39:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-04

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C16/54 专利号:ZL202021600366X 变更事项:专利权人 变更前:上海理想万里晖薄膜设备有限公司 变更后:理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司 变更事项:地址 变更前:201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房 变更后:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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