一种高门槛高管压降大功率二极管

摘要

本实用新型涉及一种高门槛高管压降大功率二极管，包括二极管芯片，二极管芯片下方设有第一隔离层，第一隔离层下方设有多组半导体PN结，半导体PN结包括一个N型半导体和一个P型半导体；N型半导体上端通过上导电层与同组P型半导体连接，下端通过下导电层与相邻半导体PN结的P型半导体连接；半导体PN结下方设有第二隔离层；第二隔离层下方设有热沉；左端半导体PN结中N型半导体的下端通过下导电层连接正散热引脚；右端半导体PN结中P型半导体的下端通过下导电层连接负散热引脚。本新型与二极管生产的IC工艺兼容，制冷密度大，无运动部件散热造成的部件磨损，而且结构紧凑，有效提高集成度，并集成了热沉增加了与外界环境的热交换。