用于在两个电极之间产生绝缘层的方法

摘要

本发明涉及用于在半导体本体的沟槽中在第一电极与第二电极之间产生绝缘层的方法，其中该方法具有以下特征：提供具有其中所构造的沟槽的半导体本体，其中在沟槽的下部中构造第一电极；在沟槽的上部中在第一电极上及在沟槽的侧壁处这样地制造绝缘层，使得该绝缘层在沟槽中以U形的方式来构造；至少在沟槽中的剩下的空洞的底部处在绝缘层上产生保护层，在沟槽的上部中在沟槽的侧壁处去除绝缘层；去除保护层；至少在第一电极上方的绝缘层上制造第二电极。