一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片

摘要

本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN薄膜；GaN缓冲层上形成有阵列排布的第一沟槽；AlGaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，AlGaN缓冲层上形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；非掺杂AlGaN层的下部沉积在第二沟槽内。本实用新型生长在Si衬底上的紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，通过多次刻蚀，增加AlGaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，有生长高晶体质量紫外LED外延片的优点。