法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-03
授权
授权
2013-10-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/46 申请日:20111004
实质审查的生效
2013-06-12
公开
公开
机译: 用于例如离子束栅格系统的离子束源。用于构造目标物体的光刻设备,具有用于加速离子束的加速格栅,并且在束方向上布置在喷嘴的下游
机译: 包括用于提取离子束的狭缝结构的离子束设备,使用该离子束设备的蚀刻方法以及使用该离子束设备制造磁存储器件的方法
机译: 用于带状离子束的离子束偏转磁体和包括该离子束偏转磁体的离子束辐照设备。