法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):E04B 5/02 专利号:ZL2020209276747 申请日:20200522 授权公告日:20210202
专利权的终止
机译: 一种评估绝缘栅型晶体管的方法,一种制造绝缘栅型晶体管的方法,一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,