一种高稳定性的无片外电容的LDO电路

摘要

本实用新型公开了一种高稳定性的无片外电容的LDO电路，涉及基于0.18μmBCD工艺的集成电路技术领域，包含带隙基准电压电路、电压比较电路、补偿电路、功率开关管以及调整电阻；包含接入电源、电压比较器、PMOS管、NMOS管、Miller电容。该电路的负载电容集成在芯片内部，无需片外电容，可在外部封装中减少一个管脚，同时也可集成在SoC系统中，无需外接分立元。