一种VCSEL芯片氧化孔制备用湿法氧化装置

摘要

本实用新型属于半导体技术领域，提供了一种VCSEL芯片氧化孔制备用湿法氧化装置，包括具有氧化腔的氧化炉，氧化腔顶部设有与供汽系统连通的汽体均分器，汽体均分器下表面开设有若干气孔，若干气孔呈非均匀性设置，且自汽体均分器的下表面中间向四周，相邻气孔间的间距呈渐小设置；氧化腔的底部设有加热器，加热器的顶部具有一用以放置晶圆的晶圆载盘，晶圆载盘的下方设有若干加热灯珠，若干加热灯珠呈非均匀性排列设置，且自加热器顶部的中间至四周，相邻加热灯珠间的间距呈渐小设置。本实用新型能够保证氧化工艺时晶圆上各区域VCSEL芯片水汽浓度和温度高度的均匀性，各区域芯片的氧化速度及芯粒的氧化深度一致，从而大大提高了晶圆氧化制备的良率。