公开/公告号CN211828779U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利号CN201922326551.8
申请日2019-12-20
分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/0747(20120101);
代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宋合成
地址 102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
入库时间 2022-08-22 17:37:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-26
专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/0224 专利号:ZL2019223265518 登记生效日:20220414 变更事项:专利权人 变更前权利人:国家电投集团科学技术研究院有限公司 变更后权利人:国家电投集团新能源科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层 变更后权利人:330096 江西省南昌市高新技术产业开发区瑶湖西大道光电产业园1号楼 变更事项:专利权人 变更前权利人:国家电投集团新能源科技有限公司 变更后权利人:
专利申请权、专利权的转移
机译: 晶体硅异质结太阳能电池透明导电氧化物薄膜的制备方法
机译: 用于硅异质结太阳能电池的透明导电氧化物膜和包含该硅化物的硅异质结太阳能电池
机译: 硅异质结太阳能电池中的透明导电氧化物