公开/公告号CN211629104U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
申请/专利号CN202020637716.3
申请日2020-04-24
分类号H01L23/544(20060101);H01L23/52(20060101);H01L21/66(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨立秋
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
入库时间 2022-08-22 17:06:55
机译: 一种场效应晶体管的制造方法,所述场效应晶体管在所述门的电极和所述互连线之间具有电连接,所述互连线金属自对准,并且电路集成在所述合成物中
机译: 一种场效应晶体管的制造方法,所述场效应晶体管在所述门的电极和所述互连线之间具有电连接,所述互连线金属自对准,并且电路集成在所述合成物中
机译: 用化合物形成芯片封装以改善芯片封装中金属接触结构的耐久性和性能的方法