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一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置

摘要

本实用新型公开了一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置,包括籽晶、碳化硅原料、坩埚、晶体生长腔、电阻加热器电极、电阻组合式加热器和保温材料层,所述坩埚的内部空腔中填充有碳化硅原料,所述坩埚的顶部内壁向内凸起,且内壁表面上设有籽晶,所述坩埚的外部套接有组合式加热器,所述组合式加热器由多个相互堆叠的电阻加热器组成,所述电阻加热器的两端为电阻加热器电极,所述坩埚和组合式加热器的外部包覆有保温材料层,所述电阻加热器电极贯穿保温材料层并向外延伸,多个所述电阻加热器电极成螺旋状排布,所述保温材料层的外侧设有晶体生长腔。通过热场分段加热方式的改变,可以提高碳化硅晶体的生长高度。

著录项

  • 公开/公告号CN211497868U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福建北电新材料科技有限公司;

    申请/专利号CN202020258393.7

  • 发明设计人 汪良;王旻峰;付芬;邓树军;

    申请日2020-03-05

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);

  • 代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人汤东凤

  • 地址 362211 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

  • 入库时间 2022-08-22 16:45:42

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