公开/公告号CN211420307U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市鑫宝达光电有限公司;
申请/专利号CN201922061964.8
发明设计人 张佳宾;
申请日2019-11-26
分类号C23C16/50(20060101);C23C16/448(20060101);
代理机构
代理人
地址 518100 广东省深圳市龙岗区龙岗街道南约社区南同大道2号(西段)3楼
入库时间 2022-08-22 16:29:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/50 专利号:ZL2019220619648 申请日:20191126 授权公告日:20200904
专利权的终止
机译: 离子源装置具有离子源,该离子源可沿固定曲线相对于腔室移动,该离子源基本上在水平面内,以能够进入腔室内壁
机译: HF-等离子涂层腔或PECVD涂层腔,其用途以及使用该腔的CD沉积方法
机译: HF-Plasma涂层腔或PECVD涂层腔,其用途以及使用该腔的CD刻录方法