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一种PECVD制程腔离子源扩散板装置

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摘要

本发明系提供一种PECVD制程腔离子源扩散板装置，通过放置在离子源两侧的扩散板装置将离子化的气体向两侧扩散，致使在两极中的等离子体可均匀地向两侧扩散，增加薄膜沈积的面积，勿需将极板扩大的情况下，有效地增大等离子体沈积面积，对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-10-07

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/50 申请公布日:20130821 申请日:20120215

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-08-21

公开

公开

1. 一种PECVD制程腔离子源扩散板上料装置 [P] . 中国专利： CN211420307U . 2020-09-04
2. 一种PECVD制程腔离子源扩散板装置 [P] . 中国专利： CN103255395A . 2013-08-21
3. Ion source arrangement has ion source movable relative to chamber along fixed curve essentially in horizontal plane to enable access to inner wall of chamber [P] . 德国专利： DE10049536A1 . 2001-04-12

机译：离子源装置具有离子源，该离子源可沿固定曲线相对于腔室移动，该离子源基本上在水平面内，以能够进入腔室内壁
4. DIFFUSING PLATE WITH A SLIT VALVE COMPENSATION DEVICE CAPABLE OF FORMING A FILM OF A UNIFORM THICKNESS ON A SUBSTRATE DURING A PECVD PROCESS [P] . 韩国专利： KR20110046423A . 2011-05-04

机译：具有能够在PECVD过程中在基质上形成均匀厚度的薄膜的带有阀瓣补偿装置的扩散板
5. HF-PLASMA COATING CHAMBER OR PECVD COATING CHAMBER, ITS USE AND METHOD OF PLATING CDS USING THE CHAMBER [P] . 美国专利： US2001007245A1 . 2001-07-12

机译： HF-等离子涂层腔或PECVD涂层腔，其用途以及使用该腔的CD沉积方法