一种大功率GTO晶闸管

摘要

本实用新型涉及一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。本实用新型的有益效果是：因此，该大功率GTO晶闸管，能使最大的可关断阳极电流增大80%，能大幅减少关断失败的机会，避免了生产中关断失败带来较大的经济损失。