公开/公告号CN210945762U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 沈阳天成真空技术有限责任公司;
申请/专利号CN201921208996.X
发明设计人 田守文;
申请日2019-07-30
分类号
代理机构
代理人
地址 110000 辽宁省沈阳市和平区族兴路16号
入库时间 2022-08-22 15:06:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
授权
授权
机译: 平行平板型磁控溅射装置,固体电解质薄膜的制造方法以及薄膜固体锂离子二次电池的制造方法
机译: 固体电解质薄膜的制造方法,平行平板型磁控溅射装置及薄膜固体锂离子二次电池的制造方法
机译: 改善离子束溅射系统中离子束沉积薄膜性能的方法和装置