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一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片

摘要

本实用新型公开了一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片。所述的芯片分为两部分,一部分为慢光吸波结构,分为上下两层,上层由周期性排布的单元组成,周期性单元结构由不同尺寸的方形金属层和吸波介质层在高度方向交替叠加形成的上窄下宽的多层金字塔结构组成,每个周期性单元结构相同,下层为金属基底,另一部分为红外成像仪。本实用新型采用一种更简单廉价的芯片,可以在大角度范围内快速测量手机等辐射体的辐射情况,同时改变结构尺寸可以很方便的使其工作在不同波段,大大提高了手机辐射测试的效率和成本。

著录项

  • 公开/公告号CN210803594U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201920548302.0

  • 发明设计人 何赛灵;贺楠;

    申请日2019-04-22

  • 分类号

  • 代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司;

  • 代理人刘晓春

  • 地址 310058 浙江省杭州市余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-22 14:42:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-19

    授权

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