一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路

摘要

本实用新型涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与PNP型三极管的基极相连接，控制单元的输出端与PNP型三极管的发射极相连接，其中，并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极与PNP型三极管的发射极相连接，第二MOS管的栅极与PNP型三极管的集电极相连接。本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗。