首页> 中国专利> 一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器

一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器

摘要

本实用新型涉及一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器,包括衬底以及位于衬底上的磁阻;还包括第一引线部,所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起,其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面;所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。本实用新型的电连接结构,可以提高第一引线部与磁阻侧壁接触的面积,由此可保证第一引线部与磁阻导通的稳定性;同时可以降低制造时易产生的空隙、缺陷问题。

著录项

  • 公开/公告号CN210639270U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201921288133.8

  • 发明设计人 邹泉波;曹志强;冷群文;

    申请日2019-08-08

  • 分类号G01R33/09(20060101);

  • 代理机构11442 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王昭智

  • 地址 266104 山东省青岛市崂山区北宅街道投资服务中心308室

  • 入库时间 2022-08-22 14:15:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-29

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号