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公开/公告号CN210232630U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-04-03
原文格式PDF
申请/专利权人 衢州学院;
申请/专利号CN201921077459.6
发明设计人 郁炜;孙韬;尹涛;朱秋琴;雷冬阁;
申请日2019-07-10
分类号
代理机构北京润平知识产权代理有限公司;
代理人陈小莲
地址 324000 浙江省衢州市九华北大道78号
入库时间 2022-08-22 13:02:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-03
授权
机译: 晶圆用双面研磨器,晶圆用研磨器及晶圆用研磨器的控制方法
机译: 半导体晶圆加工研磨,一种电子元件的组装方法,包括处理晶圆,直到晶圆比转子板薄,厚度比层厚为止,并在晶圆上排上凹口以保护晶圆
机译: 带有研磨剂的晶圆抛光装置及磨料表面的研磨方法
机译:双系统模板法制备花形二氧化硅磨料及其对蓝宝石晶圆抛光性能的影响
机译:蓝宝石晶圆的CVD微金刚石涂层刀具研磨
机译:平板形状对蓝宝石晶圆单面研磨总厚度变化的影响
机译:用钻石颗粒进行单晶蓝宝石晶圆平面加工技术,从而为释放磨料制备新溶液
机译:半导体晶圆制造中线锯和研磨工艺的建模和控制。
机译:蓝宝石晶圆可产生226 nm的远紫外线碳纳米管基冷阴极电子束(C束)辐照
机译:磨料大小对蓝宝石晶圆高压化学机械抛光的影响
机译:保税硅蓝宝石晶圆和器件。 (重新公布新的可用性信息)。