公开/公告号CN210120021U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江宝捷机电有限公司;
申请/专利号CN201921162410.0
申请日2019-07-23
分类号
代理机构嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙);
代理人程开生
地址 314000 浙江省嘉兴市海宁市经济开发区杭平路10号
入库时间 2022-08-22 12:43:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-28
授权
授权
机译: 半导体元件包括具有电极的半导体本体,在该电极中,一种导电类型的区域和另一种相反导电类型的区域布置在漂移区中
机译: 具有多层基板的III族氮化物HEMT,该多层基板具有与不同导电类型的第一层的顶表面接触的一种导电类型的第二层和其形成方法
机译: 用于确定入射光束位置的半导体传感器,具有形成有导电类型的半导体层作为接收面的接收单元,并布置在另一种导电类型的另一半导体层上