退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN210110704U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201920905971.9
发明设计人 X·常;A·恩古耶;
申请日2019-06-17
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人侯颖媖
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-22 12:42:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-21
授权
机译: 用于减少等离子体蚀刻室中的污染的设备
机译: 减少等离子体蚀刻室中污染物的设备和方法
机译: 用于使用单频射频功率处理晶片的等离子体处理系统,用于蚀刻晶圆的等离子体处理装置以及用于使用单频射频功率的等离子体处理腔室中的晶片的方法
机译:等离子体蚀刻装置粒子减少:设备状态评估和分析技术用于粒子减少
机译:模拟用于硅蚀刻的Cl_2 / O_2 / Ar电感耦合等离子体:SiO_2腔室壁涂层的影响
机译:与单腔室设备相比,双腔室除颤器可减少临床上的重大不良事件:来自DATAS(双腔室和房性快速性心律失常不良事件研究)试验的结果。
机译:偏置电压控制在电感耦合等离子体蚀刻系统中的应用,用于改进的腔室匹配和先进过程控制
机译:腔室壁条件对等离子体蚀刻工艺的影响。
机译:腔室壁对使用循环Ar / C4F8等离子体的氟碳辅助的SiO2原子层蚀刻的影响
机译:氧等离子体蚀刻在磁性活性微波化学气相沉积系统中无意地沉积在室壁上的碳膜蚀刻。
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。