基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用

摘要

一种半导体制造技术领域的基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用方法，该单晶硅表面结构的表面为绒面且均匀分布有高度为1-3μm的金字塔结构，该金字塔结构的尖锐的棱边被平滑化且没有尖锐的顶角和棱边的单晶硅表面形貌。本发明通过对其少子寿命、表面反射率等参数的测量，发现其效果更优于普通碱液制绒的金字塔绒面。