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公开/公告号CN209941144U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 南京同溧晶体材料研究院有限公司;
申请/专利号CN201920190721.1
发明设计人 薛艳艳;徐军;吴锋;徐晓东;李东振;王东海;王庆国;
申请日2019-02-12
分类号
代理机构南京中律知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人沈振涛
地址 210000 江苏省南京市溧水区东屏镇金港路22号
入库时间 2022-08-22 12:12:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-14
授权
机译: 用于消除硅单晶生长设备用的石墨坩埚的装置,能够使用卸载机消除石墨坩埚和石英坩埚的石墨坩埚
机译: 稀土离子掺杂无机氟化物纳米晶体的改性方法
机译:X射线照射碱土氟化物晶体的光学吸收光谱掺杂有热漂白的二价稀土离子掺杂
机译:凸透镜的Nayf 4 sub>微晶在808nm处激发的各种稀土离子掺杂的凸形透镜的Nayf 4 sub>微晶的制备,生长机理,上转化和近红外光致发光性能
机译:石墨坩埚阶梯壁对SiC晶体顶晶种生长的影响
机译:溅射技术生长稀土离子掺杂非晶氧化锌薄膜的可见光
机译:一种新的固态NMR方法揭示了链结构和热历史对聚乙烯晶体-非晶界面的影响。
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