公开/公告号CN209676564U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-11-22
原文格式PDF
申请/专利权人 核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司;
申请/专利号CN201822222482.1
申请日2018-12-28
分类号
代理机构核工业专利中心;
代理人高安娜
地址 610041 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
入库时间 2022-08-22 11:26:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-22
授权
授权
机译: 基于射频感应耦合放电的正负离子源
机译: 基于射频感应耦合放电的正负离子源
机译: 用于感应耦合等离子体离子源的射频系统,电磁滤波器和高压隔离