公开/公告号CN209471159U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国计量科学研究院;
申请/专利号CN201821855792.0
申请日2018-11-12
分类号
代理机构北京思创大成知识产权代理有限公司;
代理人高爽
地址 100029 北京市朝阳区北三环东路18号
入库时间 2022-08-22 10:51:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-08
授权
授权
机译: 掺杂方法,半导体器件,电阻层,场效应晶体管的制造方法,半导体电路器件的制造方法,导电区域的制造方法,量子线的形成方法,量子盒的形成方法,量子线晶体管,半导体集成电路的制造方法,电子波干扰装置
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