一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路

摘要

本实用新型公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在相同的工作电压下如0.3V到0.6V时，其静态功耗与其他TFET SRAM单元结构相比，其静态功耗至少降低了4个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度和稳定性；即消除了TFET做SRAM传输管时出现的正偏漏电流问题，降低了单元的静态功耗，提高了单元的稳定性和写能力。