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公开/公告号CN209216991U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州腾晖光伏技术有限公司;南京航空航天大学;
申请/专利号CN201822099171.0
发明设计人 张树德;魏青竹;倪志春;钱洪强;连维飞;胡党平;王泽辉;
申请日2018-12-13
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人罗满
地址 215500 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号
入库时间 2022-08-22 10:09:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
授权
机译: 背面接触单结太阳能电池的单钝化接触
机译: 高效结晶硅电池的表面/界面钝化层及钝化方法
机译:掺硼微晶氧化硅改善p型硅异质结太阳能电池的背面钝化质量
机译:一种新型的背面钝化叠层,用于带有丝网印刷背触点的薄晶硅太阳能电池
机译:穿透式触点-一种接触钝化硅太阳能电池背面的新方法
机译:消除了太阳能电池浮动结背面钝化中的寄生效应
机译:晶体硅的基于钝化生长的天然氧化物的钝化:一种用于硅光伏的低温合成的新方法。
机译:基于α-硼酮纳米与边缘钝化的异质结的性能
机译:改进的Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的背面钝化:Al2O3背面钝化层和纳米级局部背面触点的组合
机译:用于双异质结硅太阳能电池的良好钝化的a-si:H背触点