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公开/公告号CN209194024U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 大庆佳昌晶能信息材料有限公司;
申请/专利号CN201821944889.9
发明设计人 王文昌;于会永;赵春峰;袁韶阳;荆爱明;穆成锋;张军军;
申请日2018-11-24
分类号
代理机构
代理人
地址 163000 黑龙江省大庆市高新区新发街1-2号301室
入库时间 2022-08-22 10:05:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-02
授权
机译: 由砷化镓废料制成的高纯度镓-obtd。在半导体制造商中,分解废料以获得镓,然后通过氢化和分步结晶将其纯化
机译: 一种在低温下浮法生产亚烷基镓和砷化合物的砷化镓镓的方法。
机译: 一种使用砷化镓或亚磷酸镓三陈源从气相中去除砷化镓或磷化镓的方法
机译:利用砷化镓牺牲膜抑制砷化镓热解吸过程中的表面粗糙
机译:电子行业中从砷化镓废料中回收镓和砷
机译:通过硫化热处理从砷化镓废料中回收砷
机译:从砷化镓半导体废料中回收镓和砷
机译:一种砷化铟镓-砷化镓-砷化铝镓横向耦合的分布式反馈脊形激光二极管。
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:砷化镓表面的电流位移:一种沉积金属纳米粒子和薄膜的简单和低成本的方法
机译:单源前体生长和表征砷化镓:OmCVD和体积热解研究