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公开/公告号CN209149304U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN201822042870.1
发明设计人 杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘;黄寅峰;贾文慧;李佳鑫;
申请日2018-12-06
分类号
代理机构西安弘理专利事务所;
代理人涂秀清
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
入库时间 2022-08-22 09:58:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-23
授权
机译: 忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
机译: 考虑非线性电容特性和参数识别方法的分数阶KiBaM电池模型
机译:非线性分数阶忆阻电容器充电电路的最佳线性系统逼近
机译:恒压源激励的TiO $ _ {2} $忆阻电容串联电路的解决方案及其在可编程TiO $ _ {2} $忆阻电容弛豫振荡器工作频率计算中的应用
机译:分数阶忆阻时滞混沌系统动力学分析及电路实现
机译:一种新的分数阶忆阻模拟器电路设计
机译:片上存储器的忆阻电路。
机译:具有时滞的分数阶忆阻神经网络的全局稳定
机译:具有忆阻行为的薄膜器件的忆阻和瞬态电容建模
机译:具有忆阻横杆电路的模式分类。