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一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法

摘要

一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法,所述方法为在磁控溅射沉积TiAlN-Ag复合涂层时,采用单独的Si靶和磁控溅射技术,向TiAlN-Ag涂层中添加Si

著录项

  • 公开/公告号CN103774103B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌航空大学;

    申请/专利号CN201210413826.1

  • 申请日2012-10-26

  • 分类号

  • 代理机构南昌洪达专利事务所;

  • 代理人刘凌峰

  • 地址 330000 江西省南昌市红谷滩新区丰和南大道696号

  • 入库时间 2022-08-23 09:41:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20160615 终止日期:20161026 申请日:20121026

    专利权的终止

  • 2016-06-15

    授权

    授权

  • 2016-06-15

    授权

    授权

  • 2014-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20121026

    实质审查的生效

  • 2014-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20121026

    实质审查的生效

  • 2014-05-07

    公开

    公开

  • 2014-05-07

    公开

    公开

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