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用于细胞侵袭、迁移能力无标记检测的太赫兹超材料芯片

摘要

本实用新型涉及一种用于细胞侵袭、迁移能力无标记检测的太赫兹超材料芯片,包括上下设置的细胞培养室和超材料芯片层,两者均为设有一个开口的方形凹槽,它们的开口侧相对扣合构成密闭空间,在细胞培养室和超材料芯片层之间紧压一层多孔薄膜,所述多孔薄膜在密闭空间内的部分,其上表面涂布有基质层;在超材料芯片层的凹槽底部设有谐振环,谐振环的上表面粘附有细胞层,利用太赫兹超材料在垂直方向微米级别分布的局域增强电场,对穿过多孔薄膜的细胞数量进行原位、无标记检测,以评估细胞侵袭及迁移等运动行为。整套装置结构简单,组装便捷,体积小巧,易于整合,可重复使用。

著录项

  • 公开/公告号CN209052712U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201821760803.7

  • 发明设计人 赵祥;府伟灵;张立群;王云霞;

    申请日2018-10-29

  • 分类号

  • 代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵荣之

  • 地址 400038 重庆市沙坪坝区高滩岩正街30号

  • 入库时间 2022-08-22 09:41:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-02

    授权

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