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一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池,采用金属有机物化学气相沉积技术,以双面抛光的n型GaAs单晶片为衬底,在GaAs衬底的上表面自下而上依次设置有GaAs缓冲层、GaAs子电池、GaInAsP双异质结子电池和AlGaInP子电池;在GaAs衬底的下表面自上而下依次设置有Ga

著录项

  • 公开/公告号CN209045589U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;

    申请/专利号CN201821961685.6

  • 申请日2018-11-27

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人冯炳辉

  • 地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

  • 入库时间 2022-08-22 09:40:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    授权

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