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含多个双异质结子电池的五结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池及其制备方法,采用金属有机物化学气相沉积技术,以双面抛光的n型GaAs单晶片为衬底,在GaAs衬底的上表面自下而上依次设置有GaAs缓冲层、GaAs子电池、GaInAsP双异质结子电池和AlGaInP子电池;在GaAs衬底的下表面自上而下依次设置有Ga

著录项

  • 公开/公告号CN109326674A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;

    申请/专利号CN201811423445.5

  • 申请日2018-11-27

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人冯炳辉

  • 地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

  • 入库时间 2024-02-19 06:55:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/078 申请日:20181127

    实质审查的生效

  • 2019-02-12

    公开

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