公开/公告号CN208841981U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-05-10
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉每时工业发展有限公司;
申请/专利号CN201821565047.2
申请日2018-09-25
分类号B32B27/02(20060101);B32B27/06(20060101);B32B27/12(20060101);B32B9/00(20060101);B32B9/04(20060101);
代理机构42250 武汉泰山北斗专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人程千慧
地址 430120 湖北省武汉市蔡甸区常福工业示范园常升路以南
入库时间 2022-08-22 09:06:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
授权
授权
机译: 锗层,锗层,具有锗层的基质,锗纳米粉,具有纳米锗的基质,层合物,薄膜晶体管和半导体元件的制造方法
机译: 一种生产磷橄榄石的纳米纤维和/或纳米纤维结构的方法,一种磷橄榄石的纳米纤维和一种由磷橄榄石制成的纳米纤维的结构
机译: 一种生产磷橄榄石的纳米纤维和/或纳米纤维结构的方法,一种磷橄榄石的纳米纤维和一种由磷橄榄石制成的纳米纤维的结构