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公开/公告号CN208539859U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 成都嘉纳海威科技有限责任公司;
申请/专利号CN201821178389.9
发明设计人 邬海峰;滑育楠;陈依军;胡柳林;吕继平;童伟;王测天;
申请日2018-07-24
分类号
代理机构成都正华专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈选中
地址 610016 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园
入库时间 2022-08-22 08:16:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-22
授权
机译: CMOS CMOS复合基于变容线性小面积可调电容器
机译: 垂直管芯动态随机存取存储器(DRAM),是一种空的垂直管芯动态随机存取存储器,其产生的复合管芯集成电路包括:
机译: 一种半导体模块,包括布置在同一平面中的晶体管芯片,二极管芯片和驱动器芯片
机译:基于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管自适应传感器的癌胚抗原快速电检测
机译:基于源极-退化MOS晶体管自适应偏置的跨导体线性化
机译:基于肖特基变容荷仪的高效率170GHz三倍设计设计
机译:基于高介电常数材料的有机太阳能电池:一种提高效率的方法。
机译:高效率类胡萝卜素的光收集来自光合细菌的LH2复合物:独特的适应在弱光条件下的生长
机译:一种基于精确模型匹配技术的离散时间多变量自适应控制系统的设计方法
机译:变容计数系统1.计数系统中使用的基本晶体管触发电路