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公开/公告号CN208501094U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 弗萨姆材料美国有限责任公司;
申请/专利号CN201820494808.3
发明设计人 C·M·比尔彻;G·维万克;S·V·伊瓦诺维;W·舍伊;T·A·斯泰德尔;
申请日2018-04-09
分类号C23C16/448(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人吴亦华;吕小羽
地址 美国亚利桑那州
入库时间 2022-08-22 08:10:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-15
授权
机译: 在沉积过程中用于起泡化学前体的无气溶胶容器
机译:在化学浴沉积方法中使用氧气和空气鼓泡的新工艺,用于垂直良好排列的ZnO纳米棒阵列?”
机译:在气溶胶辅助化学气相沉积中使用具有不同N / C比的前体控制多壁碳纳米管中的吡啶,吡咯,石墨和分子氮
机译:使用气溶胶辅助化学气相沉积技术将硫化锌硫化锌薄膜从锌(II)硫代氧化锌作为单分子前体沉积
机译:用遗传算法对化学气相沉积反应器沉积轮廓的计算方法,用于使用反应机制自动建模系统
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:镍 - 石墨烯纳米克薄板沉积在碳纤维上作为无粘合剂电极用于电化学超级电容器应用
机译:使用三元单源前体通过气溶胶辅助化学气相沉积沉积CuIns2薄膜