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一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构

摘要

本实用新型涉及晶体制造技术领域,尤其涉及一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构,包括双壁坩埚,其材质为铱,包括外层坩埚和内层坩埚,内层坩埚通过支撑架固定于外层坩埚内,内层坩埚与外层坩埚之间形成空腔,内层坩埚无底面并共用外层坩埚的底面。本实用新型采用双壁坩埚,该双壁坩埚采用外层坩埚和内层坩埚相结合,并在结合处形成空腔,空腔即形成加料区以及熔化区。在拉制TGG、GGG晶体时。依据晶体生长情况的原料溶液的损耗,通过空腔位置持续添加原料达到初始状态时的液面高度,这样就实现了一边加料一边生长晶体,一方面解决了现有晶体生长中由于液面下降,导致的晶体的传热性能改变而带来的晶体生长变形,螺旋等不良;另一方面有益生长出等径较长的TGG/GGG晶体。

著录项

  • 公开/公告号CN208379056U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201820679897.9

  • 发明设计人 罗毅;

    申请日2018-05-08

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 230601 安徽省合肥市肥西县桃花工业园合掌路10号

  • 入库时间 2022-08-22 07:50:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-15

    授权

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