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公开/公告号CN208292656U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州大学;
申请/专利号CN201820940339.3
发明设计人 潘明强;姚富荣;王阳俊;刘吉柱;孙立宁;
申请日2018-06-19
分类号
代理机构苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人叶栋
地址 215104 江苏省苏州市相城区济学路8号
入库时间 2022-08-22 07:35:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-28
授权
机译: 磁控控制方法,磁控寿命判定方法,微波发生装置,磁控寿命判定装置,处理装置,计算机程序以及存储介质
机译: 适于通过电介质阻挡放电进行操作的放电灯,其电极的一部分被电介质层覆盖,另外在每个电极和电介质层之间直接被阻挡层覆盖。
机译:基于纳米间隙介质阻挡放电的硅与玻璃超低温阳极键合
机译:介质阻挡放电和介质阻挡电晕放电的电学特性研究。
机译:大气中微秒脉冲均匀介质阻挡放电及其影响因素的研究大气中微秒脉冲均匀介质阻挡放电及其影响因素的研究
机译:双电介质阻挡放电和单电介质阻挡放电,用于去除有毒气体
机译:磁控流放电等离子体聚合的研究。
机译:在介质阻挡放电中形成侧放电
机译:ZnO膜从磁控系统中磁控系统中的磁共振压力倾斜纹理纹理和激发效率的效率
机译:射频介质阻挡放电中光学厚氩和氩铟等离子体的线性和非线性光谱。